MMBTH81, ВЧ транзистор, PNP, 20В, 50мА 225мВт [SOT-23]

Код товара: 34874
Артикул: MMBTH81
Характеристики
Производитель ON Semiconductor***
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 20
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 20
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.05
смотреть полные характеристики
19,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
PNP RF Transistor This device is designed for general RF amplifier and mixer applications to 250 mHz with collector currents in the 1.
Основные параметры
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 20
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 20
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.05
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 60
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 600
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.225
Корпус sot-23
Вес, г 0.05
BZV55-B4V7,115, Стабилитрон 4.7В 0.5Вт [SOD-80]
наличие: шт
Код товара: 2822
Артикул: BZV55-B4V7,115
Катушка переменной индуктивности, 0,4~0,8мкГн, 7,0x10x9,5
наличие: шт
Код товара: 33010
Артикул: 4136 индук КИВП 0,4~0,8мкГн\\7,0x10x9,5\\
К15-5 3300пФ 2000В Y5P 10% аналог
наличие: шт
Код товара: 29945
Артикул:
DC-2WR507, DC/DC 4.5-6В +-15В 0.167А
наличие: шт
Код товара: 28286
Артикул: DC-2WR507
7780,00 ₽
В корзину
C320C102J1G5TA, Ceramic Capacitor, 1nF, 100V, 5%
наличие: шт
Код товара: 35932
Артикул: C320C102J1G5TA
2SC5200N(S1,E,S), Транзистор NPN, 230В, 15А [TO-3P(N) / 2-16C1S]
наличие: шт
Код товара: 16486
Артикул: 2SC5200N(S1,E,S)
Конденсатор керамический, емкость 2200пФ, напряжение 1000 В, размер 16x 5×10, выводы 2L15, CBB81
наличие: шт
Код товара: 4869
Артикул: к 2200 пФ\ 1000\16x 5x10\\\\2L15\CBB81\(2n2J)
Трансивер Cisco DWDM-SFP-3661
наличие: шт
Код товара: 21140
Артикул: DWDM-SFP-3661
234067,00 ₽
В корзину
Индуктивность, 4,7 мкГн, 1,0 А, 4,0×10,0 мм
наличие: шт
Код товара: 31078
Артикул: 7027 индук 4,7мкГн\ 1,0А\4,0x10,0\\\\\CHOKE\