Производитель	ON Semiconductor***
Структура	npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	300
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	300
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	0.5

Основные параметры
Структура	npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	300
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	300
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	40
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	50
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	0.3
Корпус	sot-23
Вес, г	0.05

MMBTA42LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А, 0.35 Вт, [SOT-23]