MMBTA42, Транзистор NPN 300В 0.5А [SOT-23-3]

Код товара: 34714
Артикул: N/A
Характеристики
Производитель UMW (Youtai Semiconductor Co., Ltd.)
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 300
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 300
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.5
смотреть полные характеристики
5,00 
наличие:
Выберите количество:
Описание Интегральные схемы
Основные параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 300
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 300
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100..200
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 50
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.35
Корпус sot-23
Вес, г 0.05
FS75R12KE3BOSA1
наличие: шт
Код товара: 5245
Артикул:
10980,00 
В корзину
MJD45H11G, Транзистор, PNP, 8A, 80V, [D-PAK]
наличие: шт
Код товара: 33470
Артикул: MJD45H11G
MJE2955T, PNP биполярный транзистор, [TO-220]
наличие: шт
Код товара: 33814
Артикул: MJE2955T
FP50R12KE3BOSA1, IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 75 A, 1.7 V, 280 W, 1.2 kV, Module
наличие: шт
Код товара: 22470
Артикул:
39100,00 
В корзину
FP50R12KT4GBOSA1, Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray
наличие: шт
Код товара: 22746
Артикул: FP50R12KT4GBOSA1
36150,00 
В корзину