Каталог

MMBT5551LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23]

Код товара: 34590
Артикул: MMBT5551LT1G
В сравнение В избранное
MMBT5551LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23]
MMBT5551LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23]
Характеристики
Производитель ON Semiconductor***
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 180
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 160
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.6
смотреть полные характеристики
14,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт
Основные параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 180
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 160
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 80
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.225
Корпус sot-23
Вес, г 0.05
MMBT2907ALT1G, Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А, [SOT-23]
наличие: шт
MMBT2907ALT1G, Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А, [SOT-23]
Код товара: 34212
Артикул: MMBT2907ALT1G
15,00 ₽
В корзину
FF450R12KT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 450А
наличие: шт
FF450R12KT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 450А
Код товара: 7407
Артикул: FF450R12KT4HOSA1
19350,00 ₽
В корзину
FF600R12ME4BOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 600А
наличие: шт
FF600R12ME4BOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 600А
Код товара: 7462
Артикул: FF600R12ME4BOSA1
30940,00 ₽
В корзину
FP50R12KS4CBOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 70 А, 3.2 В, 360 Вт, 125 °C
наличие: шт
FP50R12KS4CBOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 70 А, 3.2 В, 360 Вт, 125 °C
Код товара: 22540
Артикул: FP50R12KS4CBOSA1
55930,00 ₽
В корзину