Каталог

MMBT5551, Транзистор, NPN, 150В, 600мА [SOT-23-3]

Код товара: 34572
Артикул: N/A
В сравнение В избранное
MMBT5551, Транзистор, NPN, 150В, 600мА [SOT-23-3]
MMBT5551, Транзистор, NPN, 150В, 600мА [SOT-23-3]
Характеристики
Производитель Diotec Semiconductor
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 180
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 160
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.6
смотреть полные характеристики
22,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Описание Биполярный транзистор MMBT5551 от производителя DIOTEC — компактное и надежное решение для современной электроники. Этот NPN транзистор предназначен для поверхностного монтажа (SMD) и подойдет для широкого спектра применений благодаря своим техническим характеристикам: ток коллектора составляет 0,6 А, напряжение коллектор-эмиттер достигает 160 В, а мощность рассеивания равна 0,35 Вт. Компактный корпус SOT23 обеспечивает легкую интеграцию в различные схемы. Используя MMBT5551, вы получаете гарантию стабильности и долговечности для ваших электронных проектов. Характеристики

Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN
Монтаж SMD
Ток коллектора, А 0.6
Напряжение коллектор-эмиттер, В 160
Мощность, Вт 0.35
Корпус SOT23
Основные параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 180
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 160
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 80…250
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 300
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.25
Корпус sot-23
Вес, г 0.0093
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 2.4 кОм, 5%, Резистор металлооксидный
наличие: шт
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 2.4 кОм, 5%, Резистор металлооксидный
Код товара: 33084
Артикул: MO-100 (С2-23) 1 Вт, 2.4 кОм, 5%
7,00 ₽
В корзину