MMBT5401LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 160 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23]

Код товара: 34518
Артикул: MMBT5401LT1G
Характеристики
Производитель ON Semiconductor***
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 160
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 150
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.5
смотреть полные характеристики
18,00 
наличие:
Выберите количество:
Биполярный транзистор, PNP, 160 В, 0.6 А, 0.225 Вт
Основные параметры
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 160
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 150
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 60
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 300
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.3
Корпус sot-23
Вес, г 0.05
MJL21194G, Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 16 А, 200 Вт, [TO-264]
наличие: шт
Код товара: 33996
Артикул: MJL21194G
562R5GAD30, Cap Ceramic Single 0.003uF 1000V Z5U 20% (7.4 X 4mm) Radial Disc 6.4mm 105°C Bulk
наличие: шт
Код товара: 31744
Артикул: 562R5GAD30
Конденсатор керамический 2200 пФ 100013x 4x 92L30(2,2nFM1000); к 2200 пФ 100013x 4x 9\\2L30\(2,2nFM1000)
наличие: шт
Код товара: 11281
Артикул: к 2200 пФ\ 1000\13x 4x 9\\\\2L30\\(2,2nFM1000)