Производитель	ON Semiconductor***
Структура	pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	160
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	150
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	0.5

Основные параметры
Структура	pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	160
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	150
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	60
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	300
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	0.3
Корпус	sot-23
Вес, г	0.05

MMBT5401LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 160 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23]