Производитель	ON Semiconductor***
Структура	npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	0.6

Основные параметры
Структура	npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	250
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	0.3
Корпус	sot-23
Вес, г	0.05

MMBT4401LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, [SOT-23]