MMBT2222ALT1G, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23]

Код товара: 34158
Артикул: MMBT2222ALT1G
Характеристики
Производитель ON Semiconductor***
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 75
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.6
смотреть полные характеристики
17,00 
наличие:
Выберите количество:
The NPN Bipolar Transistor is designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the SOT-23 package, which is designed for lower power surface mount applications.
Основные параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 75
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 300
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.225
Корпус sot-23
Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Стандарты Автомобильной Промышленности aec-q101
Напряжение Коллектор-Эмиттер 40в
Стиль Корпуса Транзистора sot-23
Рассеиваемая Мощность 225мвт
Полярность Транзистора npn
DC Ток Коллектора 600ма
DC Усиление Тока hFE 300hfe
Частота Перехода ft 300мгц
Линейка продукции mmbtxxxx series
Вес, г 0.05
MJL21194G, Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 16 А, 200 Вт, [TO-264]
наличие: шт
Код товара: 33996
Артикул: MJL21194G
562R5GAD30, Cap Ceramic Single 0.003uF 1000V Z5U 20% (7.4 X 4mm) Radial Disc 6.4mm 105°C Bulk
наличие: шт
Код товара: 31744
Артикул: 562R5GAD30
X3C19F1-03S
наличие: 57347 шт
Код товара: 37906
Артикул: 7f34993577e3