| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 75 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 40 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.6 |
| Основные параметры | |
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 75 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 40 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.6 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 100 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 300 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.225 |
| Корпус | sot-23 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | aec-q101 |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 40в |
| Стиль Корпуса Транзистора | sot-23 |
| Рассеиваемая Мощность | 225мвт |
| Полярность Транзистора | npn |
| DC Ток Коллектора | 600ма |
| DC Усиление Тока hFE | 300hfe |
| Частота Перехода ft | 300мгц |
| Линейка продукции | mmbtxxxx series |
| Вес, г | 0.05 |