Производитель | ON Semiconductor*** |
Структура | npn |
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 75 |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 40 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.6 |
Основные параметры | |
Структура | npn |
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 75 |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 40 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.6 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 100 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 300 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.225 |
Корпус | sot-23 |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Стандарты Автомобильной Промышленности | aec-q101 |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 40в |
Стиль Корпуса Транзистора | sot-23 |
Рассеиваемая Мощность | 225мвт |
Полярность Транзистора | npn |
DC Ток Коллектора | 600ма |
DC Усиление Тока hFE | 300hfe |
Частота Перехода ft | 300мгц |
Линейка продукции | mmbtxxxx series |
Вес, г | 0.05 |