MMBT2222ALT1G, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23]

Код товара: 34158
Артикул: MMBT2222ALT1G
Характеристики
Производитель ON Semiconductor***
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 75
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.6
смотреть полные характеристики
17,00 
наличие:
Выберите количество:
The NPN Bipolar Transistor is designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the SOT-23 package, which is designed for lower power surface mount applications.
Основные параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 75
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 300
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.225
Корпус sot-23
Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Стандарты Автомобильной Промышленности aec-q101
Напряжение Коллектор-Эмиттер 40в
Стиль Корпуса Транзистора sot-23
Рассеиваемая Мощность 225мвт
Полярность Транзистора npn
DC Ток Коллектора 600ма
DC Усиление Тока hFE 300hfe
Частота Перехода ft 300мгц
Линейка продукции mmbtxxxx series
Вес, г 0.05
24.576 МГц (HCMOS/TTL), Кварцевый генератор
наличие: шт
Код товара: 1502
Артикул: 24.576 МГц (HCMOS/TTL)
ВП3Б-1В (8А 250В), Предохранитель керамический
наличие: шт
Код товара: 15586
Артикул: ВП3Б-1В(8А250В)(ВП)
2.4576 МГц (HCMOS/TTL), Кварцевый генератор
наличие: шт
Код товара: 1030
Артикул: 2.4576 МГц (HCMOS/TTL)
20.000 МГц (HCMOS/TTL), Кварцевый генератор
наличие: шт
Код товара: 1442
Артикул: 20.000 МГц (HCMOS/TTL)
ВП3Т-2Ш, 5 А, 250В, Предохранитель керамический
наличие: шт
Код товара: 5431
Артикул: ВП3Т-2Ш, 5 А, 250В