MJW21196G, Транзистор NPN 250В 16А [TO-247]

Код товара: 34086
Артикул: MJW21196G
Характеристики
Производитель ON Semiconductor***
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 250
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 16
смотреть полные характеристики
790,00 
наличие:
Выберите количество:
Основные параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 250
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 16
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 20
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 200
Корпус TO-247
Вес, г 7.5
ПВД2-10А, Предохранитель
наличие: шт
Код товара: 16202
Артикул:
MJD45H11T4G, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А, [TO-252]
наличие: шт
Код товара: 33488
Артикул: MJD45H11T4G
Кварцевый генератор 16000, SMD14098P4, 5В, SG-8002JA-PHC, CM
наличие: шт
Код товара: 15197
Артикул: TRI гк 16000 \\SMD14098P4\CM\5В\SG-8002JA-PHC\
XNG450B24KC2S, Полумостовой модуль IGBT 1200В 450A 62мм
наличие: шт
Код товара: 11349
Артикул: XNG450B24KC2S
12930,00 
В корзину
C10G32, Предохранитель с характеристикой gG, 32А, 400В AC, 10×38мм
наличие: шт
Код товара: 12422
Артикул: C10G32
5012406.12, Предохранитель: плавкая вставка, gR, 12А, 660ВAC, 14×51мм
наличие: шт
Код товара: 11273
Артикул: 5012406.12
2160,00 
В корзину
C0727J5003AHFB
наличие: 3204 шт
Код товара: 38880
Артикул: 3191725eca61