Каталог

MJW21196G, Транзистор NPN 250В 16А [TO-247]

Код товара: 34086
Артикул: MJW21196G
В сравнение В избранное
MJW21196G, Транзистор NPN 250В 16А [TO-247]
MJW21196G, Транзистор NPN 250В 16А [TO-247]
Характеристики
Производитель ON Semiconductor***
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 250
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 16
смотреть полные характеристики
790,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Основные параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 250
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 16
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 20
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 200
Корпус TO-247
Вес, г 7.5
38312000000, (2A медл), T 300 V 2 A 8,5×8 mm, радиальный
наличие: шт
38312000000, (2A медл), T 300 V 2 A 8,5×8 mm, радиальный
Код товара: 33926
Артикул: 38312000000
140,00 ₽
В корзину
Предохранитель 4,0×15, ток 4,0 А, керамика, [ВП1-1]
наличие: шт
Предохранитель 4,0×15, ток 4,0 А, керамика, [ВП1-1]
Код товара: 20698
Артикул: 10128 пред 4,0x15\ 4,0А\\кер\\[ВП1-1]
40,00 ₽
В корзину
MMBT3906LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.1 А, 0.35 Вт, [SOT-23-2]
наличие: шт
MMBT3906LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.1 А, 0.35 Вт, [SOT-23-2]
Код товара: 34336
Артикул: MMBT3906LT1G
10,00 ₽
В корзину