| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 250 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 250 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 30 |
| Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | PNP |
| Основные параметры | |
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 250 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 250 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 30 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 20 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 200 |
| Корпус | TO-247 |
| Вес, г | 7.5 |