Производитель	ON Semiconductor***
Структура	npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	350
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	350
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	4

Основные параметры
Структура	npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	350
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	350
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	2
Корпус	to-220
Вес, г	2.5

MJE15034G, Транзистор NPN 350В 4А [TO-220]