Каталог

MJD45H11T4G, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А, [TO-252]

Код товара: 33488
Артикул: MJD45H11T4G
В сравнение В избранное
MJD45H11T4G, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А, [TO-252]
MJD45H11T4G, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А, [TO-252]
Характеристики
Производитель ON Semiconductor***
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8
смотреть полные характеристики
98,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 8А, 20Вт, DPAK Характеристики

Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид PNP
Основные параметры
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 90
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 1.75
Корпус dpak(to-252)
Вес, г 0.4
MJ15022, Транзистор NPN 200В 16А 250Вт [TO-3]
наличие: шт
MJ15022, Транзистор NPN 200В 16А 250Вт [TO-3]
Код товара: 33164
Артикул: MJ15022
640,00 ₽
В корзину
MJD45H11G, Транзистор, PNP, 8A, 80V, [D-PAK]
наличие: шт
MJD45H11G, Транзистор, PNP, 8A, 80V, [D-PAK]
Код товара: 33470
Артикул: MJD45H11G
98,00 ₽
В корзину
MJE340, Транзистор, [TO-126]
наличие: шт
MJE340, Транзистор, [TO-126]
Код товара: 33850
Артикул: MJE340
73,00 ₽
В корзину
FF450R12KT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 450А
наличие: шт
FF450R12KT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 450А
Код товара: 7407
Артикул: FF450R12KT4HOSA1
19350,00 ₽
В корзину
FP25R12W2T4BOMA1, Модуль IGBT 1200V 39A 175Вт
наличие: шт
FP25R12W2T4BOMA1, Модуль IGBT 1200V 39A 175Вт
Код товара: 1180
Артикул: FP25R12W2T4BOMA1
11930,00 ₽
В корзину