MJD45H11T4G, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А, [TO-252]

Код товара: 33488
Артикул: MJD45H11T4G
Характеристики
Производитель ON Semiconductor***
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8
смотреть полные характеристики
98,00 
наличие:
Выберите количество:
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 8А, 20Вт, DPAK Характеристики

Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид PNP
Основные параметры
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 90
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 1.75
Корпус dpak(to-252)
Вес, г 0.4
CF-100 (С1-4) 1 Вт, 470 кОм, 5%, Резистор углеродистый
наличие: шт
Код товара: 6091
Артикул: CF-100 (С1-4) 1 Вт, 470 кОм, 5%
SMB-32CC-P10, 32 мм, Пьезоизлучатель с генератором
наличие: шт
Код товара: 5281
Артикул: SMB-32CC-P10, 32 мм
1550,00 
В корзину
MO-200 (С2-23) 2 Вт, 120 Ом, 5%, Резистор металлооксидный
наличие: шт
Код товара: 35564
Артикул: MO-200 (С2-23) 2 Вт, 120 Ом, 5%
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 6.8 кОм, 5%, Резистор металлооксидный
наличие: шт
Код товара: 33282
Артикул: MO-100 (С2-23) 1 Вт, 6.8 кОм, 5%
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 56 кОм, 5%, Резистор металлооксидный
наличие: шт
Код товара: 33698
Артикул: MO-100 (С2-23) 1 Вт, 56 кОм, 5%
FS1901-0000-1000-G, Load Cell, 20 mV/V, 1 kg, FS19 Series, 5 VDC
наличие: шт
Код товара: 16623
Артикул:
18750,00 
В корзину