Производитель	ON Semiconductor***
Структура	npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	8

Основные параметры
Структура	npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	40
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	85
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	1.75
Корпус	dpak(to-252)
Вес, г	0.4

MJD44H11T4G, Транзистор, NPN 80B/8A/20 Вт, [D-PAK / TO-252]