MJD122T4, Транзистор NPN, 100В, 8А, 20Вт, [D-PAK]

Код товара: 33344

Артикул: MJD122T4

MJD122T4, Транзистор NPN, 100В, 8А, 20Вт, [D-PAK]

Характеристики

Производитель	STMicroelectronics
Структура	npn darlington c 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	8

смотреть полные характеристики

63,00 ₽

наличие:

Выберите количество:

В корзину

Описание
Технические характеристики

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Основные параметры
Структура	npn darlington c 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	1000…12000
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	1.75
Корпус	dpak(to-252)
Вес, г	0.4