| Производитель | STMicroelectronics |
| Структура | npn darlington c 2 резисторами и диодом |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 100 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 |
| Основные параметры | |
| Структура | npn darlington c 2 резисторами и диодом |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 100 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 1000…12000 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 1.75 |
| Корпус | dpak(to-252) |
| Вес, г | 0.4 |