Производитель	ON Semiconductor***
Структура	npn darlington
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	120
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	120
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	50

Основные параметры
Структура	npn darlington
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	120
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	120
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	50
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	1000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	300
Корпус	то-3
Вес, г	18

MJ11032G, Биполярный транзистор, NPN, (Darlington), 120 В, 50 А, 350 Вт, [TO-3]