Каталог

MJ11032G, Биполярный транзистор, NPN, (Darlington), 120 В, 50 А, 350 Вт, [TO-3]

Код товара: 33074
Артикул: MJ11032G
В сравнение В избранное
MJ11032G, Биполярный транзистор, NPN, (Darlington), 120 В, 50 А, 350 Вт, [TO-3]
MJ11032G, Биполярный транзистор, NPN, (Darlington), 120 В, 50 А, 350 Вт, [TO-3]
Характеристики
Производитель ON Semiconductor***
Структура npn darlington
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 120
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 120
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 50
смотреть полные характеристики
2200,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Транзисторы Дарлингтона 50A 120V Bipolar Power NPN
Основные параметры
Структура npn darlington
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 120
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 120
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 50
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 1000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 300
Корпус то-3
Вес, г 18
KT818B (2019г), Транзистор PNP, 10А, 70В, h21e=15…225 [КТ-28-2 / TO-220] (BD796)
наличие: шт
KT818B (2019г), Транзистор PNP, 10А, 70В, h21e=15…225 [КТ-28-2 / TO-220] (BD796)
Код товара: 32338
Артикул: KT818B (2019г)
71,00 ₽
В корзину
KT819Б (2019г), Транзистор NPN, 10А, 50В, h21e=25…225 [КТ-28-2 / TO-220] (BD501)
наличие: шт
KT819Б (2019г), Транзистор NPN, 10А, 50В, h21e=25…225 [КТ-28-2 / TO-220] (BD501)
Код товара: 32428
Артикул: KT819Б (2019г)
65,00 ₽
В корзину
LM395T/NOPB, Транзистор NPN c защитой от перегрузки, 36В, 2.2А [TO-220-3]
наличие: шт
LM395T/NOPB, Транзистор NPN c защитой от перегрузки, 36В, 2.2А [TO-220-3]
Код товара: 32968
Артикул: LM395T/NOPB
790,00 ₽
В корзину