![MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт, [TO-3]](https://euroimport-it.com/wp-content/uploads/2024/05/doc001209980.jpg)
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Структура | npn darlington |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 120 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 120 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 30 |
| Основные параметры | |
| Структура | npn darlington |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 120 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 120 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 30 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 1000 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 200 |
| Корпус | то-3 |
| Вес, г | 20 |
![BC857CDW1T1G, Транзисторная сборка 2xPNP 45В 0.1A [SOT-363]](https://euroimport-it.com/wp-content/uploads/2024/05/doc005313889-3.jpg)
