Каталог

MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт, [TO-3]

Код товара: 33056
Артикул: MJ11016G
В сравнение В избранное
MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт, [TO-3]
MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт, [TO-3]
Характеристики
Производитель ON Semiconductor***
Структура npn darlington
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 120
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 120
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 30
смотреть полные характеристики
1170,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Транзисторы Дарлингтона 30A 120V Bipolar Power NPN
Основные параметры
Структура npn darlington
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 120
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 120
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 30
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 1000
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 200
Корпус то-3
Вес, г 20