Производитель	Korea Electronics
Структура	pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	35
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	30
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	0.8

Основные параметры
Структура	pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	35
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	30
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	0.8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	150
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	120
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	0.625
Корпус	TO-92
Вес, г	0.3

KTC8550-D-AT/P, Транзистор PNP -35В -80мА 625мВт 120МГц, (=2SC8550), [TO-92]