Производитель	Korea Electronics
Структура	npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	35
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	30
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	0.8

Основные параметры
Структура	npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	35
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	30
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	0.8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	150
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	120
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	0.35
Корпус	sot-23
Вес, г	0.05

KTC8050S-D-RTK/P, Биполярный транзистор, NPN, 30В, 800 мА, 350 мВт, 120 МГц [SOT-23]