GD100HFX170C1S, IGBTмодуль, Low Loss, замена для SKM100GB17E4, аналог CM100DY-34A, SKM145GB176D

Код товара: 3280
Артикул: GD100HFX170C1S
Характеристики
Производитель STARPOWER
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 100
Collector Emitter Saturation Voltage 1.85В
Collector Emitter Voltage Max 1.7кВ
смотреть полные характеристики
5620,00 
наличие:
Выберите количество:
Силовые IGBTи SiC модули

Модуль IGBT 1700В 168A

Основные параметры
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 100
Collector Emitter Saturation Voltage 1.85В
Collector Emitter Voltage Max 1.7кВ
Continuous Collector Current 168А
DC Ток Коллектора 168А
Power Dissipation 632Вт
Выводы БТИЗ Stud
Конфигурация БТИЗ Half Bridge
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.7кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.85В
Рассеиваемая Мощность 632Вт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ Trench Field Stop
FM2CP1124-10
наличие: 10 шт
Код товара: 37487
Артикул: 44283da918a4
NMA1215SC
наличие: шт
Код товара: 35178
Артикул:
2770,00 
В корзину
FMCP1025-20
наличие: 6 шт
Код товара: 38641
Артикул: bf9057f2bbb4
ТПП-258-220-50, Трансформатор, 2х5 2x10B 0.88A
наличие: шт
Код товара: 4138
Артикул: ТПП-258-220-50
6970,00 
В корзину
FSS005WNSB, Force Sensors & Load Cells Force Products
наличие: шт
Код товара: 21165
Артикул:
26350,00 
В корзину
C1210V104KCRACTU, Ceramic Capacitor 100nF, 500VDC, 1210, A±10 %
наличие: шт
Код товара: 35264
Артикул: C1210V104KCRACTU
ТП112-7 (ТП132-7), Трансформатор, 12В, 0.65А
наличие: шт
Код товара: 1376
Артикул: ТП112-7 (ТП132-7)
Индуктивность, 50,0 мкГн, 0,2 А, AXI3,7×13,5 мм, ДПМ 0,2-50
наличие: шт
Код товара: 31384
Артикул: 4015 индук50,0мкГн\0,2А\AXI3,7x13,5\\\\\ДПМ-0,2-50
X3C09F1-20S
наличие: 7759 шт
Код товара: 37879
Артикул: 0dc57fe38e5b
CK45-E3DD222ZYGNA
наличие: шт
Код товара: 27992
Артикул: