Каталог

Каркас Индуктивности 8x 9x19m(29x29x27) мм, FWBEE3002H

Код товара: 32400
Артикул: 14330 индук каркас\ 8x 9x19m(29x29x27)\12P\пл\FWBE
В сравнение В избранное
Каркас Индуктивности 8x 9x19m(29x29x27) мм, FWBEE3002H
Каркас Индуктивности 8x 9x19m(29x29x27) мм, FWBEE3002H
Характеристики
Производитель Нет торговой марки
Серия FWBEE3002H
Способ монтажа в отверстие
Длина корпуса,мм 29
Диаметр (ширина)корпуса,мм 29
смотреть полные характеристики
58,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Основные параметры
Серия FWBEE3002H
Способ монтажа в отверстие
Длина корпуса,мм 29
Диаметр (ширина)корпуса,мм 29
Особенности каркас
MJL21194G, Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 16 А, 200 Вт, [TO-264]
наличие: шт
MJL21194G, Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 16 А, 200 Вт, [TO-264]
Код товара: 33996
Артикул: MJL21194G
910,00 ₽
В корзину
562R5GAD30, Cap Ceramic Single 0.003uF 1000V Z5U 20% (7.4 X 4mm) Radial Disc 6.4mm 105°C Bulk
наличие: шт
562R5GAD30, Cap Ceramic Single 0.003uF 1000V Z5U 20% (7.4 X 4mm) Radial Disc 6.4mm 105°C Bulk
Код товара: 31744
Артикул: 562R5GAD30
74,00 ₽
В корзину
X3C19F1-03S
наличие: 57347 шт
X3C19F1-03S
Код товара: 37906
Артикул: 7f34993577e3
2,00 ₽
В корзину
MMBT2222ALT1G, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23]
наличие: шт
MMBT2222ALT1G, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23]
Код товара: 34158
Артикул: MMBT2222ALT1G
17,00 ₽
В корзину
CM150DY-12H, 2 IGBT 600V 150A 3-gen (H-Series)
наличие: шт
CM150DY-12H, 2 IGBT 600V 150A 3-gen (H-Series)
Код товара: 14504
Артикул:
12780,00 ₽
В корзину
CC-68/500, Конденсатор: керамический, 68пФ, 500В, SL, ±10%, THT, 5мм
наличие: шт
CC-68/500, Конденсатор: керамический, 68пФ, 500В, SL, ±10%, THT, 5мм
Код товара: 26050
Артикул:
9,00 ₽
В корзину