Каталог

DFS05HF12EYR1, SiC модуль 1200В 150A полумост E0

Код товара: 3236
Артикул: DFS05HF12EYR1
В сравнение В избранное
DFS05HF12EYR1, SiC модуль 1200В 150A полумост E0
DFS05HF12EYR1, SiC модуль 1200В 150A полумост E0
Характеристики
Производитель Leapers Semiconductor
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150
Структура модуля полумост
смотреть полные характеристики
24790,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Силовые IGBTи SiC модули
Основные параметры
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150
Структура модуля полумост
CF-100 (С1-4) 1 Вт, 470 кОм, 5%, Резистор углеродистый
наличие: шт
CF-100 (С1-4) 1 Вт, 470 кОм, 5%, Резистор углеродистый
Код товара: 6091
Артикул: CF-100 (С1-4) 1 Вт, 470 кОм, 5%
9,00 ₽
В корзину
SMB-32CC-P10, 32 мм, Пьезоизлучатель с генератором
наличие: шт
SMB-32CC-P10, 32 мм, Пьезоизлучатель с генератором
Код товара: 5281
Артикул: SMB-32CC-P10, 32 мм
1550,00 ₽
В корзину
ТТП-15 (25В, 0.6А), Трансформатор тороидальный, 25В, 0.6А
наличие: шт
ТТП-15 (25В, 0.6А), Трансформатор тороидальный, 25В, 0.6А
Код товара: 4801
Артикул: ТТП-15 (25В, 0.6А)
1800,00 ₽
В корзину
B82141A1823J000, 82 мкгН, 175 мА, 5% (EC24, 0307), Индуктивность
наличие: шт
B82141A1823J000, 82 мкгН, 175 мА, 5% (EC24, 0307), Индуктивность
Код товара: 5085
Артикул: B82141A1823J000, 82 мкГн, 175 мА, 5% (EC24, 0307)
20,00 ₽
В корзину