Каталог

Индуктивный трансформатор , ТМ10-69

Код товара: 32150
Артикул: 3977 индук транс\\\\ТМ10-69
В сравнение В избранное
Индуктивный трансформатор , ТМ10-69
Индуктивный трансформатор , ТМ10-69
Характеристики
Производитель Нет торговой марки
Серия ТМ10-69
Номинальная индуктивность, мкГн 57300000
Рабочая температура,С -60…125
Длина корпуса,мм 22
смотреть полные характеристики
660,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Основные параметры
Серия ТМ10-69
Номинальная индуктивность, мкГн 57300000
Рабочая температура,С -60…125
Длина корпуса,мм 22
Диаметр (ширина)корпуса,мм 37
Особенности трансформатор
PZT751T1G, Транзистор PNP -60В -2А [SOT-223]
наличие: шт
PZT751T1G, Транзистор PNP -60В -2А [SOT-223]
Код товара: 35768
Артикул: PZT751T1G
54,00 ₽
В корзину
FS100R12KT3BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 100 А, 1.7 В, 480 Вт, 125 °C, Module
наличие: шт
FS100R12KT3BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 100 А, 1.7 В, 480 Вт, 125 °C, Module
Код товара: 23902
Артикул: FS100R12KT3BOSA1
55600,00 ₽
В корзину
CK45-B3FD331KYGNA, Конденсатор керамический дисковый, 330 пФ, 3 кВ, +10%(B±10%)
наличие: шт
CK45-B3FD331KYGNA, Конденсатор керамический дисковый, 330 пФ, 3 кВ, +10%(B±10%)
Код товара: 1854
Артикул: CK45-B3FD331KYGNA
50,00 ₽
В корзину
Дополнительные фрезы для мотоблока МКМ, Салют, Агат MBK0024329
наличие: шт
Дополнительные фрезы для мотоблока МКМ, Салют, Агат MBK0024329
Код товара: 17414
Артикул: MBK0024329
3510,00 ₽
В корзину
FS820R08A6P2BBPSA1, IGBT модуль N-канальный 750В 450А 714Вт автомобильного применения 33-Pin AG-HYBRIDD-1 лоток
наличие: шт
FS820R08A6P2BBPSA1, IGBT модуль N-канальный 750В 450А 714Вт автомобильного применения 33-Pin AG-HYBRIDD-1 лоток
Код товара: 7564
Артикул: FS820R08A6P2BBPSA1
143200,00 ₽
В корзину
T106-2, Феррит: тороидальный, Дл: 11,1мм, dвнутр: 14,5мм, dвнешн: 26,9мм
наличие: шт
T106-2, Феррит: тороидальный, Дл: 11,1мм, dвнутр: 14,5мм, dвнешн: 26,9мм
Код товара: 25633
Артикул: T106-2
650,00 ₽
В корзину
GD150HFL120C8S, IGBT , Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 1071
наличие: шт
GD150HFL120C8S, IGBT , Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 1071
Код товара: 3350
Артикул: GD150HFL120C8S
8430,00 ₽
В корзину
T106-52, Феррит тороидальный, Дл 11,1мм, Внутр.диаметр 14,5мм, Внешн.диаметр 26,9мм, 95нГн
наличие: шт
T106-52, Феррит тороидальный, Дл 11,1мм, Внутр.диаметр 14,5мм, Внешн.диаметр 26,9мм, 95нГн
Код товара: 25775
Артикул: T106-52
400,00 ₽
В корзину
FS75R12KE3GBOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 100 А, 1.7 В, 355 Вт, 1.2 кВ, Module
наличие: шт
FS75R12KE3GBOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 100 А, 1.7 В, 355 Вт, 1.2 кВ, Module
Код товара: 25635
Артикул: FS75R12KE3GBOSA1
40320,00 ₽
В корзину
FP50R12KE3BOSA1, IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 75 A, 1.7 V, 280 W, 1.2 kV, Module
наличие: шт
FP50R12KE3BOSA1, IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 75 A, 1.7 V, 280 W, 1.2 kV, Module
Код товара: 22470
Артикул:
39100,00 ₽
В корзину