KSP2907ATA, Транзистор PNP 60В 0.6А, [TO-92] (=2N2907A)

Код товара: 31980
Артикул: KSP2907ATA
Характеристики
Производитель ON Semiconductor***
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.6
смотреть полные характеристики
20,00 
наличие:
Выберите количество:
Биполярные транзисторы – BJT PNP Si Transistor Epitaxial
Основные параметры
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 200
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.625
Корпус TO-92
Вес, г 0.3
ВП4-15 1,6А, Вставка плавкая
наличие: шт
Код товара: 25430
Артикул: ВП4-15 1,6А
ВП2Б-1В, 3.15 А, 250 В, Предохранитель керамический
наличие: шт
Код товара: 4392
Артикул: ВП2Б-1В, 3.15 А, 250 В
ВП2Б-1В, 6.3 А, 250 В, Предохранитель керамический
наличие: шт
Код товара: 4508
Артикул: ВП2Б-1В, 6.3 А, 250 В
2056-09-B2LF, Gas Discharge Tubes – GDTs / Gas Plasma Arrestors 90volts 3E RAD GDT 6X8mm DIA
наличие: шт
Код товара: 29885
Артикул: 2056-09-B2LF
ВП2Б-1В, 0.5 А, 250 В, Предохранитель керамический
наличие: шт
Код товара: 4068
Артикул: ВП2Б-1В, 0.5 А, 250 В
2SC5200-R, Транзистор, NPN, 230В, 15А, hFE= 55…100 [TO-3PL]
наличие: шт
Код товара: 16776
Артикул: 2SC5200-R
KT815B (2019г), Транзистор NPN, 1.5А, 70В, h21e =40 [КТ-27-2 / TO-126] (BD137)
наличие: шт
Код товара: 32124
Артикул: KT815B (2019г)
EC24-180K, 18 мкГн, 5-10%, Индуктивность
наличие: шт
Код товара: 1088
Артикул: EC24-180K, 18 мкГн, 5-10%
ВП2Б-1В, 0.8 А, 250 В, Предохранитель керамический
наличие: шт
Код товара: 4112
Артикул: ВП2Б-1В, 0.8 А, 250 В
Т122-25-10, Тиристор низкочастотный 25А, 1000В, год 2024
наличие: шт
Код товара: 25855
Артикул: Т122-25-10
1070,00 
В корзину