Каталог

DFS04HF12EZC1, SiC модуль 1200В 200A полумост E2

Код товара: 3194
Артикул: DFS04HF12EZC1
В сравнение В избранное
DFS04HF12EZC1, SiC модуль 1200В 200A полумост E2
DFS04HF12EZC1, SiC модуль 1200В 200A полумост E2
Характеристики
Производитель Leapers Semiconductor
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
Структура модуля полумост
смотреть полные характеристики
18200,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Силовые IGBTи SiC модули
Основные параметры
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
Структура модуля полумост
HX5008NL, Трансформатор
наличие: шт
HX5008NL, Трансформатор
Код товара: 21784
Артикул: HX5008NL
5920,00 ₽
В корзину
Индуктивность, 68,0 млГн, 0,012 А, 6,5×10,5 мм, RLB0812-683K
наличие: шт
Индуктивность, 68,0 млГн, 0,012 А, 6,5×10,5 мм, RLB0812-683K
Код товара: 31474
Артикул: 4080 индук68,0млГн\ 0,012А\6,5x10,5\\\\2L\RL0812\(
66,00 ₽
В корзину
33.000 МГц (HCMOS/TTL), Кварцевый генератор
наличие: шт
33.000 МГц (HCMOS/TTL), Кварцевый генератор
Код товара: 1592
Артикул: 33.000 МГц (HCMOS/TTL)
230,00 ₽
В корзину