| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 120 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 120 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
| Основные параметры | |
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 120 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 120 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 300 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.5 |
| Корпус | TO-92 |
| Вес, г | 0.499 |
