Производитель	ON Semiconductor***
Структура	npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	1000
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	800
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	3

Основные параметры
Структура	npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	1000
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	800
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	3
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	15
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	15
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	50
Корпус	to-220
Вес, г	2.5

FJP5027RTU, Транзистор, NPN, 800В, 3А, 50Вт, [TO-220]