• Home
• Электронные компоненты
• Полупроводниковые модули
• IGBT
• DFS02FB12HDB1, SiC модуль 1200В 800A 3-фазный HPD SIC

DFS02FB12HDB1, SiC модуль 1200В 800A 3-фазный HPD SIC

Характеристики

Производитель	Leapers Semiconductor
Макс.напр.к-э,В	1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	800
Структура модуля	3-х фазный

смотреть полные характеристики

363600,00 ₽

наличие:

Выберите количество:

• В корзину

• Описание
• Технические характеристики

Силовые IGBTи SiC модули

Основные параметры
Макс.напр.к-э,В	1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	800
Структура модуля	3-х фазный