| Производитель | STMicroelectronics |
| Структура | npn darlington с 2 резисторами | диодом и стабил. |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 350 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 350 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 15 |
| Основные параметры | |
| Структура | npn darlington с 2 резисторами | диодом и стабил. |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 350 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 350 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 15 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 300 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 65 |
| Корпус | to-3pf |
| Вес, г | 7.5 |