Производитель	Inchange Semiconductor
Структура	npn с диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	1500
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	700
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	8

Основные параметры
Структура	npn с диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	1500
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	700
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	10…30
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	7
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	34
Корпус	to-3pfa
Вес, г	7.5

BU508DF, Транзистор биполярный, NPN, Ic=8А, Vceo=700В, Vcbo=1500В, Pd=34Вт [TO-3PFa]