Производитель | NXP Semiconductor |
Структура | npn |
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 24 |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 12 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.05 |
Основные параметры | |
Структура | npn |
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 24 |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 12 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.05 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 60 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 11000 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.45 |
Корпус | sot-23 |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Стандарты Автомобильной Промышленности | aec-q101 |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 12В |
Рассеиваемая Мощность | 450мВт |
Полярность Транзистора | npn |
DC Ток Коллектора | 50мА |
Корпус РЧ Транзистора | sot-23 |
DC Усиление Тока hFE | 60hFE |
Частота Перехода ft | 11ГГц |
Вес, г | 0.05 |