Каталог

DFI600HF12I4ME1, IGBT модуль 1200В 600A полумост ED3

Код товара: 2946
Артикул: DFI600HF12I4ME1
В сравнение В избранное
DFI600HF12I4ME1, IGBT модуль 1200В 600A полумост ED3
DFI600HF12I4ME1, IGBT модуль 1200В 600A полумост ED3
Характеристики
Производитель Leapers Semiconductor
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
Структура модуля полумост
кол-во в упаковке 10
смотреть полные характеристики
15560,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Силовые IGBTи SiC модули

IGBT Модуль 1200В, 600А, полумостовой

Основные параметры
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
Структура модуля полумост
кол-во в упаковке 10
CF-25 (С1-4) 0.25 Вт, 1.1 кОм, 5%, Резистор углеродистый
наличие: шт
CF-25 (С1-4) 0.25 Вт, 1.1 кОм, 5%, Резистор углеродистый
Код товара: 13362
Артикул: CF-25 (С1-4) 0.25 Вт, 1.1 кОм, 5%
7,00 ₽
В корзину
9230-20-RC
наличие: 575 шт
9230-20-RC
Код товара: 36593
Артикул: a1d20063f047
2,08 ₽
В корзину
77F1R0K-TR-RC
наличие: 5000 шт
77F1R0K-TR-RC
Код товара: 36688
Артикул: ace28fdc4d7e
144,00 ₽
В корзину
CF-25 (С1-4) 0.25 Вт, 1.3 Ом, 5%, Резистор углеродистый
наличие: шт
CF-25 (С1-4) 0.25 Вт, 1.3 Ом, 5%, Резистор углеродистый
Код товара: 7835
Артикул: CF-25 (С1-4) 0.25 Вт, 1.3 Ом, 5%
7,00 ₽
В корзину
2SC3150, Транзистор биполярный, NPN, Ic=3А, Vceo=800В, Vcbo=900В, Pd=50Вт, hFE= 10…40 [TO-220]
наличие: шт
2SC3150, Транзистор биполярный, NPN, Ic=3А, Vceo=800В, Vcbo=900В, Pd=50Вт, hFE= 10…40 [TO-220]
Код товара: 12845
Артикул: 2SC3150
240,00 ₽
В корзину
Предохранитель KLS5-1000-2000 (2A) / F4x15 керамика (2A)
наличие: шт
Предохранитель KLS5-1000-2000 (2A) / F4x15 керамика (2A)
Код товара: 35344
Артикул: KLS5-1000-2000 (2A) / F4x15 ceramic (2A)
8,00 ₽
В корзину
CF-25 (С1-4) 0.25 Вт, 1.2 Ом, 5%, Резистор углеродистый
наличие: шт
CF-25 (С1-4) 0.25 Вт, 1.2 Ом, 5%, Резистор углеродистый
Код товара: 7784
Артикул: CF-25 (С1-4) 0.25 Вт, 1.2 Ом, 5%
7,00 ₽
В корзину
IGBT МОДУЛЬ CM900HG-130X, MITSUBISHI
наличие: шт
IGBT МОДУЛЬ CM900HG-130X, MITSUBISHI
Код товара: 27202
Артикул:
60870,00 ₽
В корзину
MCR69-3G
наличие: шт
MCR69-3G
Код товара: 13604
Артикул:
680,00 ₽
В корзину
FF200R12KS4HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 275 А, 3.2 В, 1.4 кВт, 125 °C, Module
наличие: шт
FF200R12KS4HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 275 А, 3.2 В, 1.4 кВт, 125 °C, Module
Код товара: 17708
Артикул: FF200R12KS4HOSA1
28100,00 ₽
В корзину