| Производитель | Leapers Semiconductor |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
| Структура модуля | полумост |
| кол-во в упаковке | 10 |
IGBT Модуль 1200В, 600А, полумостовой
| Основные параметры | |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
| Структура модуля | полумост |
| кол-во в упаковке | 10 |
