Производитель	INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Структура	npn с 2 резисторами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	0.1

Основные параметры
Структура	npn с 2 резисторами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	0.1
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	150
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	0.2
Корпус	sot-23
Вес, г	0.05

BCR135E6327HTSA1, Транзистор NPN DGTL AF [SOT-23] (WJs)