Производитель	ON Semiconductor***
Структура	pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	65
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	0.1

Основные параметры
Структура	pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	65
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	220…475
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	0.25
Корпус	sot-23
Вес, г	0.05

BC856BLT1G, Транзистор PNP 65В 0.1А 0.25Вт 100МГц, [SOT-23]