Производитель	ON Semiconductor***
Структура	2 x npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	65
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	0.1

Основные параметры
Структура	2 x npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	65
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	200…450
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	0.25
Корпус	sot-363/sc-88
Вес, г	0.04

BC846BDW1T1G, Транзисторная сборка, 2-NPN, 65В, 100мА [SOT-363 / SC-88]