Home
Электронные компоненты
Полупроводниковые модули
IGBT
GD600HFY120C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 1 кА, 2 В, 3.409 кВт, 150 °C, Module

GD600HFY120C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 1 кА, 2 В, 3.409 кВт, 150 °C, Module

Код товара: 26803

Артикул: N/A

GD600HFY120C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 1 кА, 2 В, 3.409 кВт, 150 °C, Module

Характеристики

Производитель	STARPOWER
Collector Emitter Saturation Voltage	2В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	1кА
DC Ток Коллектора	1кА

смотреть полные характеристики

40610,00 ₽

наличие:

Выберите количество:

В корзину

Описание
Технические характеристики

Полупроводники – ДискретныеБТИЗБТИЗ Массивы и Модули

Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.

Основные параметры
Collector Emitter Saturation Voltage	2В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	1кА
DC Ток Коллектора	1кА
Power Dissipation	3.409кВт
Выводы БТИЗ	Stud
Конфигурация БТИЗ	Half Bridge
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Максимальная Температура Перехода Tj	150°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	2В
Рассеиваемая Мощность	3.409кВт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	Trench Field Stop
Вес, г	2.27