GD300HFX170C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 493 А, 1.85 В, 1.829 кВт, 150 °C, Module

Код товара: 26506
Артикул: GD300HFX170C2S
Характеристики
Производитель STARPOWER
Collector Emitter Saturation Voltage 1.85В
Collector Emitter Voltage Max 1.7кВ
Continuous Collector Current 493А
DC Ток Коллектора 493А
смотреть полные характеристики
31990,00 
наличие:
Выберите количество:
Полупроводники – ДискретныеБТИЗБТИЗ Массивы и Модули

IGBT модуль 1700B 300А 2 in one-package 62мм

Основные параметры
Collector Emitter Saturation Voltage 1.85В
Collector Emitter Voltage Max 1.7кВ
Continuous Collector Current 493А
DC Ток Коллектора 493А
Power Dissipation 1.829кВт
Выводы БТИЗ Stud
Конфигурация БТИЗ Half Bridge
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.7кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.85В
Рассеиваемая Мощность 1.829кВт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ Trench Field Stop
Вес, г 910
Предохранитель D I gG 10A/500V (E16)
наличие: шт
Код товара: 35184
Артикул:
Каркас Индуктивности 8x 9x19m(29x29x27) мм, FWBEE3002H
наличие: шт
Код товара: 32400
Артикул: 14330 индук каркас\ 8x 9x19m(29x29x27)\12P\пл\FWBE
2031-23T-SMLF, 5×4.4mm 230V 1kA.
наличие: шт
Код товара: 15588
Артикул: 2031-23T-SMLF
HVM5, высоковольтный диод 5кВ,350mA/50mA
наличие: шт
Код товара: 6832
Артикул: HVM5
BLM18AG121SN1D
наличие: шт
Код товара: 19226
Артикул:
FMAMSDXX015WC2C3, Force Sensors & Load Cells MICROFORCE SENSOR 15N FMA,I2C
наличие: шт
Код товара: 15951
Артикул: FMAMSDXX015WC2C3
9690,00 
В корзину
Предохранитель керамический 3.6×10мм, 0,25А, 250в,медленный,FBCTF1014; №12790S пред 3,6×10 0,25А250Вмедл кер2CFBCTF1014
наличие: шт
Код товара: 29613
Артикул: №12790S пред 3,6x10\ 0,25А\250В\медл\кер\2C\FBCTF
Предохранитель D I gG 25A/500V (E16)
наличие: шт
Код товара: 35238
Артикул: