GD100HHU120C6S, БТИЗ массив и модульный транзистор, H Bridge, 160 А, 3.1 В, 638 Вт, 125 °C, Module

Код товара: 26358
Артикул: GD100HHU120C6S
Характеристики
Производитель STARPOWER
Collector Emitter Saturation Voltage 3.1В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 160А
DC Ток Коллектора 160А
смотреть полные характеристики
24370,00 
наличие:
Выберите количество:
Полупроводники – ДискретныеБТИЗБТИЗ Массивы и Модули
Основные параметры
Collector Emitter Saturation Voltage 3.1В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 160А
DC Ток Коллектора 160А
Power Dissipation 638Вт
Выводы БТИЗ Press Fit
Конфигурация БТИЗ H Bridge
Максимальная Рабочая Температура 125°C
Максимальная Температура Перехода Tj 125°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 3.1В
Рассеиваемая Мощность 638Вт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ NPT Ultra Fast IGBT
Вес, кг 1.21
Индуктивность, 120,0 мкГн, 0,4 А, 6,5×10,5 мм
наличие: шт
Код товара: 30302
Артикул: 4096 индук 120,0мкГн\ 0,4А\6,5x10,5\\бел
Индуктивность, 140,0 мкГн,7,5×7,5×10 мм
наличие: шт
Код товара: 30320
Артикул: 4160 индук 140,0мкГн\\7,5x7,5x10\\