GD100HHU120C6S, БТИЗ массив и модульный транзистор, H Bridge, 160 А, 3.1 В, 638 Вт, 125 °C, Module

Код товара: 26358
Артикул: GD100HHU120C6S
Характеристики
Производитель STARPOWER
Collector Emitter Saturation Voltage 3.1В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 160А
DC Ток Коллектора 160А
смотреть полные характеристики
24370,00 
наличие:
Выберите количество:
Полупроводники – ДискретныеБТИЗБТИЗ Массивы и Модули
Основные параметры
Collector Emitter Saturation Voltage 3.1В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 160А
DC Ток Коллектора 160А
Power Dissipation 638Вт
Выводы БТИЗ Press Fit
Конфигурация БТИЗ H Bridge
Максимальная Рабочая Температура 125°C
Максимальная Температура Перехода Tj 125°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 3.1В
Рассеиваемая Мощность 638Вт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ NPT Ultra Fast IGBT
Вес, кг 1.21
R31x19x13 PC40, Феррит , R31x19x13, PC40
наличие: шт
Код товара: 24359
Артикул:
ТПК-2 (2х9В, 0.140А) (ТПГ-2), Трансформатор герметичный (залитый), 2х9В, 0.140А
наличие: шт
Код товара: 3924
Артикул: ТПК-2 (2х9В, 0.140А) (ТПГ-2)
ТПК-2 (2х15В, 0.08А) (ТПГ-2), Трансформатор герметичный (залитый), 2х15В, 0.08А
наличие: шт
Код товара: 3616
Артикул: ТПК-2 (2х15В, 0.08А) (ТПГ-2)