Каталог

FS50R12KT3BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 75 А, 1.7 В, 280 Вт, 125 °C, Module

Код товара: 25166
Артикул: FS50R12KT3BPSA1
В сравнение В избранное
FS50R12KT3BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 75 А, 1.7 В, 280 Вт, 125 °C, Module
FS50R12KT3BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 75 А, 1.7 В, 280 Вт, 125 °C, Module
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Collector Emitter Saturation Voltage 1.7В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 75А
DC Ток Коллектора 75А
смотреть полные характеристики
26730,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Полупроводники – ДискретныеБТИЗБТИЗ Массивы и Модули
Основные параметры
Collector Emitter Saturation Voltage 1.7В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 75А
DC Ток Коллектора 75А
Power Dissipation 280Вт
Выводы БТИЗ Solder
Конфигурация БТИЗ Six Pack(Full Bridge)
Линейка Продукции EconoPACK 2
Максимальная Рабочая Температура 125°C
Максимальная Температура Перехода Tj 125°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.7В
Рассеиваемая Мощность 280Вт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 3(Trench/Field Stop)
Вес, г 1
FP35R12W2T4B11BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 54 А, 1.85 В, 215 Вт, 150 °C
наличие: шт
FP35R12W2T4B11BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 54 А, 1.85 В, 215 Вт, 150 °C
Код товара: 21998
Артикул:
13990,00 ₽
В корзину
FS75R12KE3G, IGBT Modules 1200V 75A 3-PHASE
наличие: шт
FS75R12KE3G, IGBT Modules 1200V 75A 3-PHASE
Код товара: 25565
Артикул: FS75R12KE3G
45270,00 ₽
В корзину
FP25R12W2T4B11BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 39 А, 1.85 В, 175 Вт, 150 °C
наличие: шт
FP25R12W2T4B11BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 39 А, 1.85 В, 175 Вт, 150 °C
Код товара: 21307
Артикул: FP25R12W2T4B11BOMA1
12850,00 ₽
В корзину
FP30R06W1E3BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 37 А, 1.55 В, 115 Вт, 600 В, Module
наличие: шт
FP30R06W1E3BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 37 А, 1.55 В, 115 Вт, 600 В, Module
Код товара: 21446
Артикул: FP30R06W1E3BOMA1
9590,00 ₽
В корзину
FP75R12KT3BOSA1
наличие: шт
FP75R12KT3BOSA1
Код товара: 23086
Артикул:
17430,00 ₽
В корзину
MJF18004G, Биполярный NPN мощный транзистор, [TO-220]
наличие: шт
MJF18004G, Биполярный NPN мощный транзистор, [TO-220]
Код товара: 33922
Артикул: MJF18004G
430,00 ₽
В корзину