Производитель	Diotec Semiconductor
Структура	pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	30
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	25
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	0.8

Основные параметры
Структура	pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	30
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	25
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	0.8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	0.31
Корпус	sot-23
Вес, г	0.05

BC808-16, PNP биполярный транзистор малой мощности [SOT-23]