Каталог

FS20R06VE3B2BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 25 А, 1.55 В, 71.5 Вт, 150 °C, Module

Код товара: 24586
Артикул: FS20R06VE3B2BOMA1
В сравнение В избранное
FS20R06VE3B2BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 25 А, 1.55 В, 71.5 Вт, 150 °C, Module
FS20R06VE3B2BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 25 А, 1.55 В, 71.5 Вт, 150 °C, Module
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Collector Emitter Saturation Voltage 1.55В
Collector Emitter Voltage Max 600В
Continuous Collector Current 25А
DC Ток Коллектора 25А
смотреть полные характеристики
5410,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Полупроводники – ДискретныеБТИЗБТИЗ Массивы и Модули

TRANSISTOR, IGBT MODULE, 600V, 25A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:25A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.55V; Power Dissipation Pd:71.5W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:Module; No. of Pins:-; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:Easy750 Series; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)

Основные параметры
Collector Emitter Saturation Voltage 1.55В
Collector Emitter Voltage Max 600В
Continuous Collector Current 25А
DC Ток Коллектора 25А
Power Dissipation 71.5Вт
Выводы БТИЗ Press Fit
Конфигурация БТИЗ Six Pack(Full Bridge)
Линейка Продукции Easy750
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 600В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.55В
Полярность Транзистора N Канал
Рассеиваемая Мощность 71.5Вт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 3(Trench/Field Stop)
Transistor Polarity N Channel; DC Collector Current
Вес, г 18.51