FS100R12KT3BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 100 А, 1.7 В, 480 Вт, 125 °C, Module

Код товара: 23902
Артикул: FS100R12KT3BOSA1
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Collector Emitter Saturation Voltage 1.7В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 100А
DC Ток Коллектора 100А
смотреть полные характеристики
55600,00 
наличие:
Выберите количество:
Полупроводники – ДискретныеБТИЗБТИЗ Массивы и Модули

FS100R12KT3, SP000100439

Основные параметры
Collector Emitter Saturation Voltage 1.7В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 100А
DC Ток Коллектора 100А
Power Dissipation 480Вт
Выводы БТИЗ Press Fit
Конфигурация БТИЗ Six Pack(Full Bridge)
Линейка Продукции EconoPACK 3
Максимальная Рабочая Температура 125°C
Максимальная Температура Перехода Tj 125°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.7В
Полярность Транзистора N Канал
Рассеиваемая Мощность 480Вт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 3(Trench/Field Stop)
Вес, г 300
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 7.5 МОм, 5%, Резистор металлооксидный
наличие: шт
Код товара: 34616
Артикул: MO-100 (С2-23) 1 Вт, 7.5 МОм, 5%
EC24-120K, 12 мкГн, 10%, Индуктивность
наличие: шт
Код товара: 1002
Артикул: EC24-120K, 12 мкГн, 10%
RT6212AHGJ6F
наличие: шт
Код товара: 25873
Артикул:
PM100CLS120, модуль 6 IGBT 1200В 100A 5 поколение L серия
наличие: шт
Код товара: 4012
Артикул: PM100CLS120
11740,00 
В корзину
DEBB33F221KCDB**, Конденсатор керамический дисковый, 220пФ х 3кВ
наличие: шт
Код товара: 28596
Артикул: DEBB33F221KCDB**
FF300R12KT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT 1200В 300А
наличие: шт
Код товара: 7293
Артикул: FF300R12KT4HOSA1
14800,00 
В корзину