FP75R12KT4BOSA1

Код товара: 23610
Артикул: N/A
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 75 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Number of Transistors 7
смотреть полные характеристики
28530,00 
наличие:
Выберите количество:
The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 355 W, maximum gate threshold voltage is 6.
Основные параметры
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 75 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Number of Transistors 7
Package Type EconoPIM
Automotive No
Channel Type N
Configuration Array 7
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant with Exemption
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 1200
Maximum Continuous Collector Current (A) 75
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) 0.1
Maximum Gate Emitter Voltage (V) ±20
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 385
Minimum Operating Temperature (°C) -40
Mounting Screw
Packaging Tray
Part Status Active
PCB changed 35
Pin Count 35
PPAP No
Supplier Package ECONO3-3
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) 1.85
Вес, г 5.42
C0805C681J1GACTU, Ceramic Capacitor 680pF, 100VDC, 0805, A±5 %
наличие: шт
Код товара: 34098
Артикул: C0805C681J1GACTU
DPD42H2203, Дроссель 47мГн 0.3A 1.4Ом
наличие: шт
Код товара: 15739
Артикул: DPD42H2203
DEBB33D331KC1B
наличие: шт
Код товара: 3862
Артикул:
C0805C104M5RACTU, Ceramic Capacitor 100nF, 50VDC, 0805, A±20 %
наличие: шт
Код товара: 33664
Артикул:
NN1-05S05ANT, DC-DC преобразователь
наличие: шт
Код товара: 28965
Артикул: NN1-05S05ANT
FSS005WNGB, Force Sensors & Load Cells Force Products
наличие: шт
Код товара: 20893
Артикул:
22490,00 
В корзину
C0805C820J5GACTU, Ceramic Capacitor 82pF, 50VDC, 0805, A±5 %
наличие: шт
Код товара: 34170
Артикул: C0805C820J5GACTU