| Производитель | INFINEON TECHNOLOGIES AG. |
| Pd - рассеивание мощности | 385 W |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Другие названия товара № | FP75R12KT4BOSA1 SP000355581 |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1.85V IGBT 4 PIM
| Основные параметры | |
| Pd - рассеивание мощности | 385 W |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Другие названия товара № | FP75R12KT4BOSA1 SP000355581 |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Конфигурация | 3-Phase |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.25 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 150 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Размер фабричной упаковки | 10 |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tray |
| Упаковка / блок | Econo 3 |
| Вес, г | 300 |
