FP75R12KT4, IGBT Modules 1.85V IGBT 4 PIM

Код товара: 23232

Артикул: FP75R12KT4

Характеристики

Производитель	INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pd - рассеивание мощности	385 W
Вид монтажа	Chassis Mount
Другие названия товара №	FP75R12KT4BOSA1 SP000355581
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат

44810,00 ₽

наличие:

Выберите количество:

Полупроводниковые приборыДискретные полупроводниковые приборыТранзисторыМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1.85V IGBT 4 PIM

Основные параметры
Pd - рассеивание мощности	385 W
Вид монтажа	Chassis Mount
Другие названия товара №	FP75R12KT4BOSA1 SP000355581
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Конфигурация	3-Phase
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.25 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	150 A
Подкатегория	IGBTs
Продукт	IGBT Silicon Modules
Размер фабричной упаковки	10
Тип продукта	IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tray
Упаковка / блок	Econo 3
Вес, г	300