Каталог

FP75R12KT3BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 75 А, 1.7 В, 355 Вт, 125 °C

Код товара: 23157
Артикул: FP75R12KT3BOSA1
В сравнение В избранное
FP75R12KT3BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 75 А, 1.7 В, 355 Вт, 125 °C
FP75R12KT3BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 75 А, 1.7 В, 355 Вт, 125 °C
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 105 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Power Dissipation 355 W
смотреть полные характеристики
51130,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives, servo drives medical application etc.
Основные параметры
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 105 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Power Dissipation 355 W
Number of Transistors 7
Package Type EconoPIM
Вес, г 336.6
MJ21195G, Транзистор PNP 250В 16А [TO-3]
наличие: шт
MJ21195G, Транзистор PNP 250В 16А [TO-3]
Код товара: 33272
Артикул: MJ21195G
1200,00 ₽
В корзину
MJ15023, Транзистор PNP 200В 16А 250Вт [TO-3]
наличие: шт
MJ15023, Транзистор PNP 200В 16А 250Вт [TO-3]
Код товара: 33182
Артикул: MJ15023
640,00 ₽
В корзину
FP25R12KT3BOSA1, Модуль IGBT 1200В 25А
наличие: шт
FP25R12KT3BOSA1, Модуль IGBT 1200В 25А
Код товара: 1152
Артикул: FP25R12KT3BOSA1
17700,00 ₽
В корзину