Каталог

FP50R12KS4CBOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 70 А, 3.2 В, 360 Вт, 125 °C

Код товара: 22540
Артикул: FP50R12KS4CBOSA1
В сравнение В избранное
FP50R12KS4CBOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 70 А, 3.2 В, 360 Вт, 125 °C
FP50R12KS4CBOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 70 А, 3.2 В, 360 Вт, 125 °C
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Collector Emitter Saturation Voltage 3.2В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 70А
DC Ток Коллектора 70А
смотреть полные характеристики
55930,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Полупроводники – ДискретныеБТИЗБТИЗ Массивы и Модули

FP50R12KS4C, SP000100410

Основные параметры
Collector Emitter Saturation Voltage 3.2В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 70А
DC Ток Коллектора 70А
Power Dissipation 360Вт
Выводы БТИЗ Press Fit
Конфигурация БТИЗ PIM Three Phase Input Rectifier
Линейка Продукции EconoPIM
Максимальная Рабочая Температура 125 C
Максимальная Температура Перехода Tj 125 C
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 3.2В
Полярность Транзистора N Канал
Рассеиваемая Мощность 360Вт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 2 Fast
Вес, г 0.1
MMBT2907ALT1G, Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А, [SOT-23]
наличие: шт
MMBT2907ALT1G, Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А, [SOT-23]
Код товара: 34212
Артикул: MMBT2907ALT1G
15,00 ₽
В корзину
FF450R12KT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 450А
наличие: шт
FF450R12KT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 450А
Код товара: 7407
Артикул: FF450R12KT4HOSA1
19350,00 ₽
В корзину
FF600R12ME4BOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 600А
наличие: шт
FF600R12ME4BOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 600А
Код товара: 7462
Артикул: FF600R12ME4BOSA1
30940,00 ₽
В корзину