FP50R12KE3, IGBT Modules 1200V 50A PIM

Код товара: 22328

Артикул: FP50R12KE3

Характеристики

41180,00 ₽

наличие:

Выберите количество:

Полупроводниковые приборыДискретные полупроводниковые приборыТранзисторыМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A PIM

Основные параметры
Pd - рассеивание мощности	270 W
Вид монтажа	Chassis Mount
Высота	17 mm
Длина	122 mm
Другие названия товара №	FP50R12KE3BOSA1 SP000101740
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Конфигурация	Hex
Максимальная рабочая температура	+ 125 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.15 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	75 A
Подкатегория	IGBTs
Продукт	IGBT Silicon Modules
Размер фабричной упаковки	10
Тип продукта	IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер	400 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tray
Упаковка / блок	EconoPIM3
Ширина	62 mm
Вес, г	300