Home
Электронные компоненты
Полупроводниковые модули
IGBT
FP50R06W2E3BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 65 А, 1.45 В, 175 Вт, 150 °C

FP50R06W2E3BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 65 А, 1.45 В, 175 Вт, 150 °C

Код товара: 22264

Артикул: FP50R06W2E3BOMA1

Характеристики

Производитель	INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
Maximum Continuous Collector Current	65 A
Maximum Gate Emitter Voltage	+/-20V
Maximum Power Dissipation	175 W

13020,00 ₽

наличие:

Выберите количество:

The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives and air conditioning etc.

Основные параметры
Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
Maximum Continuous Collector Current	65 A
Maximum Gate Emitter Voltage	+/-20V
Maximum Power Dissipation	175 W
Number of Transistors	7
Вес, г	0.41