Каталог

CM75E3U-12H, модуль 3 IGBT 600В 75А 3 поколение U серия

Код товара: 2207
Артикул: CM75E3U-12H
В сравнение В избранное
CM75E3U-12H, модуль 3 IGBT 600В 75А 3 поколение U серия
CM75E3U-12H, модуль 3 IGBT 600В 75А 3 поколение U серия
Характеристики
Производитель Mitsubishi
Защита от перегрева нет
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
Структура модуля одиночный транзистор
смотреть полные характеристики
2920,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Силовые IGBTи SiC модули
Основные параметры
Защита от перегрева нет
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
Структура модуля одиночный транзистор
FF200R12KT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт
наличие: шт
FF200R12KT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт
Код товара: 7238
Артикул: FF200R12KT4HOSA1
10820,00 ₽
В корзину
TY-311P
наличие: шт
TY-311P
Код товара: 25936
Артикул:
1840,00 ₽
В корзину
ST1S10PHR, Синхронный понижающий преобразователь напряжения, 3А [SO-8 EP]
наличие: шт
ST1S10PHR, Синхронный понижающий преобразователь напряжения, 3А [SO-8 EP]
Код товара: 9943
Артикул: ST1S10PHR
980,00 ₽
В корзину
CDRH74NP-101MC-B
наличие: шт
CDRH74NP-101MC-B
Код товара: 12426
Артикул:
56,00 ₽
В корзину
FM2CP1121-30
наличие: 1 шт
FM2CP1121-30
Код товара: 38568
Артикул: d94eade03954
407,15 ₽
В корзину
ТПК-2 (12В, 0.21А) (ТПГ-2), Трансформатор герметичный (залитый), 12В, 0.21А
наличие: шт
ТПК-2 (12В, 0.21А) (ТПГ-2), Трансформатор герметичный (залитый), 12В, 0.21А
Код товара: 3388
Артикул: ТПК-2 (12В, 0.21А) (ТПГ-2)
600,00 ₽
В корзину
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 390 Ом, 5%, Резистор металлооксидный
наличие: шт
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 390 Ом, 5%, Резистор металлооксидный
Код товара: 32744
Артикул: MO-100 (С2-23) 1 Вт, 390 Ом, 5%
7,00 ₽
В корзину