Home
Электронные компоненты
Полупроводниковые модули
IGBT
FP35R12W2T4B11BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 54 А, 1.85 В, 215 Вт, 150 °C

FP35R12W2T4B11BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 54 А, 1.85 В, 215 Вт, 150 °C

Код товара: 21998

Артикул: N/A

FP35R12W2T4B11BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 54 А, 1.85 В, 215 Вт, 150 °C

Характеристики

Производитель	INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Channel Type	N
Configuration	3 Phase Bridge
Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
Maximum Continuous Collector Current	54 A

смотреть полные характеристики

13990,00 ₽

наличие:

Выберите количество:

В корзину

Описание
Технические характеристики

Полупроводники – ДискретныеIGBTsБТИЗ Массивы и Модули

The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.

Основные параметры
Channel Type	N
Configuration	3 Phase Bridge
Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
Maximum Continuous Collector Current	54 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	215 W
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Mounting Type	PCB Mount
Package Type	EASY2B
Pin Count	35
Switching Speed	1MHz
Transistor Configuration	3 Phase
Вес, г	25