Каталог

FP35R12W2T4B11BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 54 А, 1.85 В, 215 Вт, 150 °C

Код товара: 21928
Артикул: FP35R12W2T4B11BOMA1
В сравнение В избранное
FP35R12W2T4B11BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 54 А, 1.85 В, 215 Вт, 150 °C
FP35R12W2T4B11BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 54 А, 1.85 В, 215 Вт, 150 °C
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Channel Type N
Configuration 3 Phase Bridge
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 54 A
смотреть полные характеристики
13990,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Полупроводники – ДискретныеIGBTsБТИЗ Массивы и Модули

The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.

Основные параметры
Channel Type N
Configuration 3 Phase Bridge
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 54 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 215 W
Minimum Operating Temperature -40 °C
Mounting Type PCB Mount
Package Type EASY2B
Pin Count 35
Switching Speed 1MHz
Transistor Configuration 3 Phase
Вес, г 25
MJ15024, Транзистор NPN 250В 16А 250Вт [TO-3]
наличие: шт
MJ15024, Транзистор NPN 250В 16А 250Вт [TO-3]
Код товара: 33200
Артикул: MJ15024
640,00 ₽
В корзину
KTC9018-H-AT/P, Транзистор NPN 40В 20мА 625мВт 800МГц, (=2SC9018), [TO-92]
наличие: шт
KTC9018-H-AT/P, Транзистор NPN 40В 20мА 625мВт 800МГц, (=2SC9018), [TO-92]
Код товара: 32914
Артикул: KTC9018-H-AT/P
25,00 ₽
В корзину
MJ21195G, Транзистор PNP 250В 16А [TO-3]
наличие: шт
MJ21195G, Транзистор PNP 250В 16А [TO-3]
Код товара: 33272
Артикул: MJ21195G
1200,00 ₽
В корзину