Каталог

FP35R12W2T4B11BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 54 А, 1.85 В, 215 Вт, 150 °C

Код товара: 21928
Артикул: FP35R12W2T4B11BOMA1
В сравнение В избранное
FP35R12W2T4B11BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 54 А, 1.85 В, 215 Вт, 150 °C
FP35R12W2T4B11BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 54 А, 1.85 В, 215 Вт, 150 °C
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Channel Type N
Configuration 3 Phase Bridge
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 54 A
смотреть полные характеристики
13990,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Полупроводники – ДискретныеIGBTsБТИЗ Массивы и Модули

The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.

Основные параметры
Channel Type N
Configuration 3 Phase Bridge
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 54 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 215 W
Minimum Operating Temperature -40 °C
Mounting Type PCB Mount
Package Type EASY2B
Pin Count 35
Switching Speed 1MHz
Transistor Configuration 3 Phase
Вес, г 25